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非挥发性集成铁电薄膜存储器

摘要

一种非易失性集成铁电薄膜存储器,属于新一代信息存储器领域。主要由包含铁电薄膜电容器、开关管组成的铁电存储单元和制有动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)存储电路的芯片构成,铁电存储单元沉积在芯片上,其特征是铁电存储单元并联在DRAM的存储电容上或接在SRAM的输出端上。克服了现有铁电存储器的直流击穿和易疲劳等缺点,集成度高,能实现非易失性存储,易规模生产,可广泛用于信用卡、电子辞典、电子记录本、移动电话、电子游戏机等方面。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2005-02-02

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2003-02-05

    授权

    授权

  • 1998-11-11

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1997-06-11

    公开

    公开

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