机译:用于非挥发性存储器电池外延超导 - 铁电异质结构的增强铁电偏振
机译:等离子体增强原子层沉积的HfO_2缓冲层对用于非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体栅堆叠的结构,电和铁电性能的影响
机译:半导体(100)掺Nb的SrTiO 3 sub>上的无铅外延铁电材料集成,用于低功率非易失性存储和有效的紫外线检测
机译:聚偏二氟乙烯-三氟氯乙烯薄膜中的铁电极化和具有低聚噻吩单晶的非易失性铁电存储器
机译:基于外延氧化物异质结构的铁电场效应存储器件。
机译:半导体(100)掺Nb的SrTiO3上的无铅外延铁电材料集成用于低功率非易失性存储和有效的紫外线检测
机译:光致稳定和增强铁电体 极化 Ba $ _ {0.1} $ sr $ _ {0.9} $ TiO $ _ {3} $ / La $ _ {0.7} $ Ca(sr)$ _ {0.3} $ mnO $ _ {3} $薄膜 异质
机译:NiFe / pLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关(后印刷)。