首页> 外国专利> SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING PROCESS FOR INTEGRATING LOGIC CIRCUITRY, EMBEDDED DRAM AND EMBEDDED NON-VOLATILE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (FERAM) ON A SAME SEMICONDUCTOR DIE

SEMICONDUCTOR CHIP MANUFACTURING PROCESS FOR INTEGRATING LOGIC CIRCUITRY, EMBEDDED DRAM AND EMBEDDED NON-VOLATILE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (FERAM) ON A SAME SEMICONDUCTOR DIE

机译:在同一半导体管芯上集成逻辑电路,嵌入式DRAM和嵌入式非挥发性铁电随机存取存储器(FERAM)的半导体芯片制造过程

摘要

An apparatus is described. The apparatus includes a semiconductor chip that includes logic circuitry, embedded dynamic random access memory (DRAM) cells and embedded ferroelectric random access memory (FeRAM) cells.
机译:描述了一种设备。该装置包括半导体芯片,该半导体芯片包括逻辑电路,嵌入式动态随机存取存储器(DRAM)单元和嵌入式铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。

著录项

  • 公开/公告号US2019279697A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-09-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号US201616319239

  • 申请日2016-09-30

  • 分类号G11C11;H01L27/108;H01L27/11514;G11C11/22;G11C11/407;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:13:29

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