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键合由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片的方法

摘要

本发明涉及一种将由从半导体材料中选择的材料制成的两片晶片键合在一起的方法,所述方法对要键合在一起的所述两片晶片中的至少一片晶片的表面进行等离子体激活,并且该方法包括以下步骤:在等离子体激活过程中控制激活参数以改变包含在等离子体中的物质的动能,从而在表面被激活的所述晶片的表面区的厚度中产生厚度受控的扰动区。

著录项

  • 公开/公告号CN101138071B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;

    申请/专利号CN200680007529.X

  • 发明设计人 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;

    申请日2006-04-18

  • 分类号H01L21/18(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/306(20060101);C30B33/06(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人黄纶伟;迟军

  • 地址 法国伯涅尼

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/18 变更前: 变更后: 申请日:20060418

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-01-11

    授权

    授权

  • 2008-04-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-03-05

    公开

    公开

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