抛光形成在半导体晶片上的金属层的方法及系统

摘要

形成在半导体晶片上的金属层被抛光，其中金属层被形成在屏障层上，所述屏障层形成在具有凹进区域和非凹进区域的介电层上，并且其中金属层覆盖介电层的凹进区域和非凹进区域。金属层被抛光以便于移除覆盖非凹进区域的金属层。凹进区域的金属层被抛光到非凹进区域以下的高度，其中所述高度等于或大于所述屏障层的厚度。