机译:使用四点探针伪金属氧化物半导体场效应晶体管方法对绝缘体上Ge(111)晶片粘结的电特性进行表征
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8537, Japan;
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8537, Japan,PRESTO, JST, Saitama, 332-0012, Japan;
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8537, Japan;
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8537, Japan;
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Covalent Silicon Co., Ltd., Seirou, Kitakanbara-gun, Niigata 957-0197, Japan;
Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-8537, Japan;
germanium-on-insulator; wafer bonding; pseudo-MOSFET;
机译:晶片结合的绝缘体上锗衬底的电学特性,使用四点探针伪金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:在Si(111)衬底上生长的Ge(111)膜的结构和电学性质及其在绝缘体上Ge(111)的应用
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机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
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