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聚焦离子束注入结合氟化氙气体辅助刻蚀的微纳加工方法

摘要

本发明涉及一种基于聚焦离子束注入和辅助气体刻蚀的微纳加工方法,包括下列步骤:将待加工基底置于聚焦离子束样品室;通过离子束成像系统对其进行形貌观测;利用聚焦离子束对基底按照目标加工图案进行离子注入加工;在所述的聚焦离子束样品室内,原位利用聚焦离子束氟化氙气体辅助刻蚀的方法对离子注入区域进行微纳加工。本发明提出的方法稳定可靠,不仅可以显著提高制备效率,而且提高了加工的灵活性,还可以有效地减小加工再沉积的影响,显著提高加工精度和加工质量。

著录项

  • 公开/公告号CN101456534B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN200910067643.7

  • 发明设计人 房丰洲;徐宗伟;胡小唐;

    申请日2009-01-09

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人江镇华

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-14

    授权

    授权

  • 2009-08-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-17

    公开

    公开

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