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公开/公告号CN101456534B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN200910067643.7
发明设计人 房丰洲;徐宗伟;胡小唐;
申请日2009-01-09
分类号
代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人江镇华
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
入库时间 2022-08-23 09:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-14
授权
2009-08-12
实质审查的生效
2009-06-17
公开
机译: 用二氟化二氮氟化氙制备氟化氙的方法
机译: 基于氙化合物的消毒杀菌剂及生产二氟化氙和三氧化二氙的方法
机译: 低温准备六氟化铀-通过使铀cpd反应。例如在惰性气体中用三氟化氙与三氧化二砷。 (NL170876)
机译:使用聚焦离子束注入和XeF {sub} 2气体辅助刻蚀制造微/纳米结构
机译:聚焦离子束注入与湿法刻蚀相结合的氧化铝掩模制造
机译:从硅中选择性刻蚀聚焦镓离子束注入区,作为一种纳米加工方法
机译:三氟化氯气体调节多晶硅碳化硅刻蚀速率分布的方法
机译:无等离子体自动二氟化氙MEMS刻蚀系统的开发与应用
机译:涉及氙氧化物和氟化物的惰性气体粘合相互作用
机译:通过聚焦离子束注入和湿法刻蚀制造氧化铝硬掩模
机译:聚焦离子束注入和湿法刻蚀制备可见光致发光si微结构