公开/公告号CN101043053B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-30
原文格式PDF
申请/专利权人 半导体元件工业有限责任公司;
申请/专利号CN200710085596.X
发明设计人 加里·H·罗切尔特;
申请日2007-03-12
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人秦晨
地址 美国亚利桑那
入库时间 2022-08-23 09:08:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-11-30
授权
授权
2009-05-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-09-26
公开
公开
机译: 具有完全耗尽的沟道区域的功率半导体器件以及用于操作功率半导体器件的方法
机译: 具有完全耗尽的沟道区域的功率半导体器件以及用于操作功率半导体器件的方法
机译: 功率半导体器件及其制造方法,所述功率半导体器件具有通过Sn-Sb-Cu焊料结合到基板上的功率半导体元件以及通过Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料结合到端子的端子