机译:功率半导体器件及其制造方法,所述功率半导体器件具有通过Sn-Sb-Cu焊料结合到基板上的功率半导体元件以及通过Sn-Ag基或Sn-Ag-Cu基焊料结合到端子的端子
公开/公告号EP2312622B1
专利类型
公开/公告日2019-10-23
原文格式PDF
申请/专利号EP20100175447
申请日2010-09-06
分类号H01L23/488;H01L21/60;H01L23/373;H01L25/07;B23K35/26;C22C13/02;
国家 EP
入库时间 2022-08-21 12:31:11