采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路

摘要

本发明公开了一种采样保持电路中抑制衬底偏置效应的高频开关电路，包括由两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第一抑制衬底偏置高频开关单元；两个NMOS晶体管，两个PMOS晶体管组成的第二抑制衬底偏置高频开关单元；一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管组成的传输门开关。本发明高频开关电路由于开关寄生电容引入的馈通信号可以旁路到地，使得开关关闭后输入端的变化不会影响到输出端，从而实现了高精度的保持功能。采用了抑制衬底偏置效应的开关设计，由于衬底与源极电位不相等而导致的阈值电压变化得到了抑制，使得了开关电路的等效电阻线性度更好，提高了电路的信噪失真比。