直列均等分圧回路における基板バイアス効果の補正

摘要

近年，高速·高集積化目的のトランジスタ微細化が進みトランジスタの耐圧が低下し，光ファイバ通信で用いる光変調器や，可視光通信で用いるLEDなど，高速·高出力が求められるドライバの設計が困難になりつつある．この問題を解決するために直列均等分圧回路の検討が行われている．直列均等分圧回路はトランジスタを縦積みすることにより，トランジスタ段数倍の振幅を得ることができる．しかし，CMOSプロセスを用い直列均等分圧回路を設計すると，基板バイアス効果により上段のトランジスタのしきい値が変化し，各トランジスタの振幅のバランスが崩れてしまう．本研究では0.18-μm CMOSプロセスを用いた直列均等分圧回路の基板バイアス効果を補正することにより良好な均等分圧動作が可能なことを回路シミュレーションにより示す．