透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO₃和位于单晶衬底基片之上的La_xSr_1-xSnO₃外延薄膜及位于所述La_xSr_1-xSnO₃外延薄膜之上的下述两外延薄膜中的任意一种：PbZr_0.52Ti_0.48O₃外延薄膜和BiFeO₃外延薄膜；La_xSr_1-xSnO₃外延薄膜中，0.03≤x≤0.07。本发明提供的p-n异质结薄膜，各层薄膜均具有很好的单晶外延性且均为钙钛矿结构，不仅具有很好的整流特性，而且整个器件在光波长400-2500nm(p层为PZT)、500-2500nm(p层为BFO)范围内具有高的透过率；p层材料(PZT，BFO)同时也是铁电材料，其中BFO在具有铁电性的同时还具有反铁磁性，在半导体器件的应用中会有更大的潜力。