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高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程

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摘要

本发明公开了一种高频冷阴极三极型场发射真空管，包括阴极结构(12)、与阴极结构(12)间隔开的阳极结构(13)以及控制栅极(15)，其中，阴极结构(12)和阳极结构(13)被分别形成，且通过插入隔离件(14)被结合在一起，其中，控制栅极(15)集成在阳极结构(12)中。

公开/公告号CN101636810B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-23

原文格式PDF
申请/专利权人塞莱斯系统集成公司;
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申请/专利号CN200680056928.5
发明设计人弗朗西斯卡·布伦尼蒂;阿尔多·迪卡罗;马西密利亚诺·卢奇;西尔维亚·奥兰杜奇;里卡多·里奇泰利;马利亚·莱蒂西亚·特伦诺瓦;
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申请日2006-12-29
分类号H01J29/46(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人杨娟奕
地址意大利罗马
入库时间 2022-08-23 09:08:12

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 29/46 授权公告日:20111123 终止日期:20161229 申请日:20061229

专利权的终止
2011-11-23

授权

授权
2011-11-23

授权

授权
2010-03-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-03-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-27

公开

公开
2010-01-27

公开

公开

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1. 高频冷阴极三极型场发射真空管及其制造过程 [P] . 中国专利： CN101636810B . 2011.11.23
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