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等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置

摘要

本发明提供等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法、等离子体处理方法、和等离子体处理装置。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法,在等离子体氮化处理中进行形成在基板上的氧化膜的氮化处理之前,进行腔室内的前处理。该等离子体氮化处理中的腔室内的前处理方法包括:向腔室内供给含氧的处理气体,进行等离子体化,在腔室内生成氧化等离子体的工序(步骤1);和向腔室内供给含氮的处理气体,进行等离子体化,在腔室内生成氮化等离子体的工序(步骤2)。

著录项

  • 公开/公告号CN101681836B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200880017976.2

  • 发明设计人 佐野正树;石塚修一;

    申请日2008-05-27

  • 分类号

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-16

    授权

    授权

  • 2010-05-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/318 申请日:20080527

    实质审查的生效

  • 2010-03-24

    公开

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