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Pretreatment method in chamber, plasma treatment method, and storage medium in plasma nitriding treatment

机译:腔室中的预处理方法,等离子体处理方法以及等离子体氮化处理中的存储介质

摘要

Disclosed is an in-chamber preprocessing method for carrying out preprocessing in a chamber prior to carrying out plasma nitridation processing of an oxide film, formed on a substrate, in the chamber. The method includes a step of supplying an oxygen-containing processing gas into the chamber and converting the gas into plasma, thereby generating an oxidizing plasma in the chamber (step 1), and a step of supplying a nitrogen-containing processing gas into the chamber and converting the gas into plasma, thereby generating a nitriding plasma in the chamber (step 2).
机译:公开了一种腔室内预处理方法,该腔室内预处理方法用于在对腔室中形成于基板上的氧化膜进行等离子体氮化处理之前,在腔室中进行预处理。该方法包括以下步骤:将含氧的处理气体供应到腔室中,并将该气体转化成等离子体,从而在腔室中产生氧化等离子体(步骤1);以及将含氮的处理气体供应到腔室中的步骤。将气体转化成等离子体,从而在腔室内产生氮化等离子体(步骤2)。

著录项

  • 公开/公告号JP5390379B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 東京エレクトロン株式会社;

    申请/专利号JP20090516321

  • 发明设计人 佐野 正樹;石塚 修一;

    申请日2008-05-27

  • 分类号H01L21/318;H01L21/31;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:13:23

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