公开/公告号CN101211102B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200710140084.9
发明设计人 金文植;
申请日2007-08-14
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人许向华
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:08:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-10-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/00 授权公告日:20111109 终止日期:20130814 申请日:20070814
专利权的终止
2011-11-09
授权
授权
2008-08-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-07-02
公开
公开
机译: 光掩模中的图案形状评价方法,光掩模,光掩模制造方法,光掩模图案形成方法和曝光方法
机译: 光掩模中的图案形状评价方法,光掩模,光掩模的制造方法,光掩模的图案形成方法以及曝光方法
机译: 用于集成电路的光刻掩模版的处理涉及将特定的气体传递到具有带有光掩模和图案化抗蚀剂的掩模版的腔室中,产生等离子体并去除光掩模的暴露部分