公开/公告号CN101752497B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-10-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200910201171.X
申请日2009-12-15
分类号H01L45/00(20060101);G11C11/56(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟;冯珺
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:08:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-10-26
授权
授权
2010-08-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20091215
实质审查的生效
2010-06-23
公开
公开
机译: 高速,高密度,低功耗相变存储单元及其制备方法
机译: 相变存储单元,形成相变存储单元的方法,具有相变存储单元的相变存储器件以及制造相变存储器件的方法
机译: 采用GeBiTe层作为相变材料层的相变存储单元,包括该相变存储单元的相变存储器件,包括该相变存储器件的电子系统及其制造方法