P型半导体氧化锌薄膜,其制备方法,和使用透明基片的脉冲激光沉积方法

摘要

披露了p型半导体氧化锌(ZnO)薄膜和制备所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷(P)和锂(Li)共掺杂的。披露了用于生成所述薄膜的脉冲激光沉积方法。还披露了使用透明基片的脉冲激光沉积方法，它包括脉冲激光源，在脉冲激光波长下透明的基片，以及多靶系统。脉冲激光的光程是这样设置的，使得脉冲激光从基片的背面入射，穿过基片，然后聚焦在靶上。通过向着靶平移基片，这种几何设置能够利用烧蚀羽流的根部沉积小结构，它在通过三维绝热膨胀加宽羽流的角宽度前，可以沿靶表面法线存在于一维过渡阶段。这可以提供小的沉积结构尺寸，该尺寸可以类似于激光焦斑的尺寸，并且提供一种用于直接沉积图案化材料的新方法。