法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-29
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01P 15/08 授权公告日:20110907 终止日期:20121127 申请日:20091127
专利权的终止
2011-09-07
授权
授权
2011-08-03
著录事项变更 IPC(主分类):G01P 15/08 变更前: 变更后: 申请日:20091127
著录事项变更
2011-07-13
著录事项变更 IPC(主分类):G01P 15/08 变更前: 变更后: 申请日:20091127
著录事项变更
2010-07-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/08 申请日:20091127
实质审查的生效
2010-06-02
公开
公开
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机译: 基于金属半导体异尺寸场效应晶体管(MESHFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的器件及其制造方法
机译: 基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管(HEMT),具有阻挡层/间隔层
机译: 基于III族氮化物的高电子迁移率晶体管(HEMT),具有阻挡层/间隔层