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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法

摘要

本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1),N型GaAs衬底(2),N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3),InP基应变量子阱有源区(4),GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5),其中上DBR(5),由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成,SiO2掩膜(8),P电极(9),出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小,热导、电导差的缺点,不仅可实现很好的电流限制,而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。

著录项

  • 公开/公告号CN101667716B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-10-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200810119582.X

  • 申请日2008-09-03

  • 分类号H01S5/183(20060101);H01S5/187(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王波波

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-01

    著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/183 变更前: 变更后: 申请日:20080903

    著录事项变更

  • 2011-10-26

    授权

    授权

  • 2010-04-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/183 申请日:20080903

    实质审查的生效

  • 2010-03-10

    公开

    公开

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