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在场效应晶体管中形成不对称叠加电容的结构和方法

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摘要

一种用于形成用于半导体器件的不对称隔离物结构的方法，包括在置于半导体衬底(104)之上的至少一对相邻隔开的栅极结构(102)之上形成隔离物层(130)。栅极结构(102)被隔开，使得隔离物层(130)在栅极结构(102)之间的区域中以第一厚度形成并且在别处以第二厚度形成，第二厚度大于所述第一厚度。蚀刻隔离物层使得针对该一对相邻隔开的栅极结构形成不对称隔离物结构。

著录项

公开/公告号CN101647108B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200680036820.X
发明设计人杨海宁;
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申请日2006-10-02
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/76(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人吴立明
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:07:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20061002

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20171107 变更前: 变更后: 申请日:20061002

专利申请权、专利权的转移
2011-09-14

授权

授权
2011-09-14

授权

授权
2010-04-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20061002

实质审查的生效
2010-04-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20061002

实质审查的生效
2010-02-10

公开

公开
2010-02-10

公开

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