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机译:在漏极升高的隧道场效应晶体管中通过氧化物隔离层的形成来减小栅漏电容的方法
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 151744, South Korea;
机译:具有零栅极到漏极重叠电容的高速大容量累积氧化物薄膜晶体管电路
机译:通过与隧道概率增加相关的隧道场效应晶体管电路速度中的漏极偏移结构来增强电容效益
机译:电容电压法测定金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极饱和电压
机译:基于垂直隧穿的隧道场效应晶体管的亚阈值特性的隔漏叠加
机译:深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管中的价带电子隧穿。
机译:漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译:通过栅漏电容测量评估亚微米n(金属氧化物半导体场效应晶体管)中热孔诱导的界面态和俘获的载流子
机译:通过测量射频驱动下的发光,检测温度对Gaas mEsFET(金属 - 半导体场效应晶体管)中栅极 - 漏极击穿击穿的影响