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机译:通过与隧道概率增加相关的隧道场效应晶体管电路速度中的漏极偏移结构来增强电容效益
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan;
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机译:隧道场效应晶体管中由于漏极诱导的漏极隧穿引起的电流增强的观察
机译:在漏极升高的隧道场效应晶体管中通过氧化物隔离层的形成来减小栅漏电容的方法
机译:通过提高隧穿概率来抑制隧道场效应晶体管的隧穿速率波动
机译:将InAs / AlSb / GaSb谐振带间隧穿二极管与异质结构场效应晶体管集成在一起,以用于超高速数字电路应用
机译:III-V化合物半导体异质结构场效应晶体管和光电集成电路的增强/耗尽工艺。
机译:漏极升高的鳍式隧道场效应晶体管的演示
机译:考虑到闸门和排水电压对隧道的影响的隧穿场效应晶体管的分析电流模型
机译:高速隧道二极管晶体管微电路