在半导体衬底上制备量子环结构的方法

摘要

一种在半导体衬底上制备量子环结构的方法，包含：步骤1：取一半导体衬底和制备好的阳极氧化铝通孔模板；步骤2：把制备好的阳极氧化铝通孔模板放置在半导体衬底上，形成带有掩模板的半导体GaAs衬底；步骤3：将足够厚的阳极氧化铝模板的半导体衬底进行离子注入，形成具有周期性离子注入的带有阳极氧化铝模板的半导体衬底，目的是让金属离子通过阳极氧化铝通孔注入半导体衬底，在没有孔的区域，注入离子不会到达半导体衬底；步骤4：在饱和的NaOH溶液中清洗以剥离模板；步骤5：在分子束外延设备中退火，由于半导体衬底里的原子、注入的金属离子的外扩散以及与砷的作用，完成量子环结构的制备。