用于连续制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和工业方法

摘要

本发明涉及用于制备高纯度四氯化硅或高纯度四氯化锗的反应器、设备和在其中进行的连续工业方法，其中所述制备是通过以冷等离子体处理被至少一种含氢化合物污染的待精制四氯化硅或四氯化锗并通过分馏从得到的处理过的相中分离精制的高纯度四氯化硅或四氯化锗来实现的，其中所述处理在等离子体反应器(4)中进行，在此等离子体反应器(4)中电介质(4.4)、高压电极(4.3)和接地的金属热交换器(4.2)的纵轴彼此平行取向并同时平行于重力的方向矢量取向。