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带有波长转换材料的光电子半导体芯片和带有这种半导体芯片的半导体器件以及用于制造光电子半导体芯片的方法

摘要

本发明公开了一种光电子半导体芯片,包括:半导体本体(1),其包括半导体层序列,该半导体层序列适于从其正面(2)发射第一波长范围的电磁辐射;在半导体本体(1)的正面(2)的至少一个第一部分区域(5)上的、带有第一波长转换材料(7)的第一波长转换层(6),该第一波长转换材料将第一波长范围的辐射转换为与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射,其中正面(2)的至少一个第二部分区域(8)没有第一波长转换层(6)。此外还描述了一种具有这样的半导体本体的光电子器件以及一种用于制造半导体芯片的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN101490860B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200780027608.1

  • 发明设计人 D·伯本;F·杰曼;

    申请日2007-05-18

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李少丹

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-31

    授权

    授权

  • 2009-09-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-22

    公开

    公开

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