退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101416326B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-17
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN200780012027.0
发明设计人 刘军;
申请日2007-03-23
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 09:07:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-17
授权
2009-06-17
实质审查的生效
2009-04-22
公开
机译: 使用自对准相变材料层的相变存储器件及其制造和使用方法。
机译: 相变材料层及其制造方法和包括使用相变材料层形成的相变材料层的相变存储器件以及制造和操作相变存储器件的方法
机译: 相变材料层及其制造方法和相变存储器装置,其包括使用相变材料层制造和操作相变存储器装置的相变材料层。
机译:固相变化的材料行为和建模(4):扩散型变换模型及其使用方法:扩散变换模型及其使用方法:扩散变换模型及其使用方法
机译:使用自对准氧化TiWO_x加热器降低编程的电流密度以降低高限相变存储器
机译:使用碳化硅作为缓冲层的节能型相变存储器
机译:通过在相变材料和加热器层之间添加HFO_2层的相变存储器的电气特性
机译:使用相变材料的光子器件的设计与制造
机译:使用含含唑酮的聚合物的纤维的官能化:逐层制造在头发和纤维素的材料表面上的反应性薄膜的制造
机译:使用polyJet技术制造的各种材料制造的元件评估
机译:快速分段光学元件的制造,测试,涂层和对准