铝背发射结N型单晶硅太阳电池制作工艺

摘要

本发明提供一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池；本发明的太阳电池结构是，自上层至下层，依次是：(1)Ag银金属栅线正电极；(2)SiN_x减反射层，厚度约为80nm；(3)正面N⁺磷扩散层，厚度为0.3～0.5μm；(4)N型单晶硅片，电阻率0.2～15Ω·cm；(5)P⁺Al-Si合金层；(6)背面Al电极；(7)背面银铝主栅线电极。通过两次丝网印刷铝浆，两次烧结，把铝硅合金的烧结与背电极的烧结分开进行，成功解决了背面全覆盖铝，使电极可焊性、牢固度问题无法解决的问题，使铝背发射结N型单晶硅太阳电池规模化生产可以实现。