有机发光二极管低温多晶硅制造方法与激光退火结晶系统

摘要

本发明涉及一种有机发光二极管低温多晶硅制造方法与激光退火结晶系统。该制造方法包括：提供一表面覆盖一非晶硅层且具有多个区域的试片；对试片使用具有不同能量密度的激光光束分别照射各区域，生成不同晶粒大小的多晶硅；生成一能量密度与晶粒大小的二维曲线图，该曲线图包括一晶粒随能量密度增大而增大的上升段；选取上升段中一预定段对应的能量密度区间，检测相应区域是否有干涉条纹产生；选取无干涉条纹产生区域，生成薄膜晶体管；量测其电子迁移率，选取电子迁移率不小于10cm