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高速写入相变存储器及其高速写入方法

摘要

本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法,其包括至少两个相互独立的地址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列地址译码器,可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作,使得数据写入周期小于传统相变存储单元的写入周期,从而提高相变存储器的写入速度。

著录项

  • 公开/公告号CN101359504B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810041415.8

  • 发明设计人 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林;

    申请日2008-08-05

  • 分类号G11C11/56(20060101);G11C16/08(20060101);G11C16/10(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所;

  • 代理人余明伟

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-10

    授权

    授权

  • 2009-04-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-04

    公开

    公开

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