AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術－多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式

摘要

本報告では，多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。 多値高速書込みを実現するキー技術として、多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式を開発した。 4Gbit AG-ANDフラッシュメモリでは、ローカルビット線の容量を多値の中位レベルに、ローカルビット線及びグローバルビット線の容量を多値最上位レベルに使用することで、多値の各レベルにおける書込み時間を短縮する事ができた。 本技術を適用して書込み転送レート10MB/sを実現した。