法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-26
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08J 7/12 授权公告日:20110622 终止日期:20140703 申请日:20090703
专利权的终止
2011-06-22
授权
授权
2010-02-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-12-23
公开
公开
机译: 可编程电荷存储晶体管,一系列向上延伸的存储单元串,Si3Nx的形成方法,在控制栅和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法高扩展性的存储单元串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及高扩展性的存储单元串根据方法制造
机译: 可编程电荷存储晶体管,存储器单元的高度延伸串的阵列,形成Si3Nx的方法,形成在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的方法,形成阵列的方法存储器单元的纵向扩展串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列存储器单元的纵向扩展串
机译: 可编程电荷存储晶体管,存储单元的高伸缩字符串阵列,Si3Nx的形成方法,在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的形成方法,阵列的形成方法单元的高伸缩字符串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列的高伸缩存储单元字符串