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【2h】

Improved Memory Characteristics by NH3-Nitrided GdO as Charge Storage Layer for Nonvolatile Memory Applications

机译：用NH3氮化GdO作为非易失性存储器应用的电荷存储层改善存储特性

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作者
Ji F; Chen JX; Lai PT; Liu L; Xu J;
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年度 2012
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Improved memory characteristics by NH3-nitrided GdO as charge storage layer for nonvolatile memory applications [J] . Liu L., Xu J. P., Ji F., Applied Physics Letters . 2012,第3期

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4. The characteristics of ZrO2 charge trapping layers by nitrogen incorporation in nonvolatile memory applications [C] . Kao Chyuan-Haur, Lin Chih-Ju, Wang Hsin-Yuan, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology;ICSICT-2012 . 2012

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