公开/公告号CN101651121B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200810041569.7
发明设计人 刘兵武;
申请日2008-08-11
分类号H01L21/8244(20060101);
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅;李时云
地址 201203 上海市张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:06:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-15
授权
授权
2010-04-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8244 申请日:20080811
实质审查的生效
2010-02-17
公开
公开
机译: 级联到具有PMOS上拉晶体管的CMOS驱动器的bi-CMOS缓冲器,该晶体管的阈值电压大于bi-CMOS双极上拉晶体管的VBE
机译: 具有阈值电压调整区域以控制MOS晶体管的阈值电压减小的半导体器件的制造方法
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