法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-05-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 3/0231 授权公告日:20110420 终止日期:20120328 申请日:20080328
专利权的终止
2011-04-20
授权
授权
2008-10-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-03
公开
公开
机译: 具有改善操作性能的多发射极型双极结型晶体管,一种双极CMOS DMOS器件,一种制造多发射极型双极结型晶体管的方法以及一种制造双极CMOS DMOS的方法
机译: 具有电容耦合频率控制的低功耗CMOS振荡器电路
机译: 具有电容耦合频率控制的低功耗CMOS振荡器电路