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形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法

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本发明披露形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法。该栅极氧化物膜上的氮化硅层为半导体元件的栅极结构的一部分，该制备方法包含进行氮化工艺以形成氮化硅层于半导体基板的一栅极氧化物膜上，再于退火室内加热该半导体基板，施以两阶段的退火动作。其一，在该退火室内将该半导体基板曝露于氮气(N

著录项

公开/公告号CN101577225B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-11

原文格式PDF
申请/专利权人茂德科技股份有限公司;
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申请/专利号CN200810131133.7
发明设计人巫政达;庄达淯;陈彦达;林俪涵;
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申请日2008-07-30
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人彭久云
地址中国台湾新竹科学工业园
入库时间 2022-08-23 09:06:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20110511 终止日期:20110730 申请日:20080730

专利权的终止
2011-05-11

授权

授权
2010-01-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-11-11

公开

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专利
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外文文献

1. 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法 [P] . 中国专利： CN101577225B . 2011.05.11
2. 包括形成在体上的源极/漏极和形成在氧化物层上的栅极通道的半导体器件 [P] . 中国专利： CN105793968A . 2016-07-20
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