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用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法

摘要

本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法,包括:在第一介电层中形成多个沟槽,其中空气间隙将形成在第一介电层中;在沟槽中沉积共形介电阻挡膜,其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料,其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层;在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜;和沉积导电材料以填充沟槽。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20110330 终止日期:20141009 申请日:20081009

    专利权的终止

  • 2012-01-25

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 申请日:20081009

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2011-03-30

    授权

    授权

  • 2009-07-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-05-13

    公开

    公开

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