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薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器

摘要

本发明公开了薄膜式结构磁流体-声表面波集成磁传感器,包括压电基片、两个叉指换能器IDT、一层磁流体薄膜及两组收发电磁波信号的天线,所述两个叉指能换能器IDT分别位于基片的两端;所述磁流体薄膜填注在传感器表面两个叉指换能器之间的浅槽中并封装;两组收发外界射频信号的天线,分别连接在两个IDT的两条汇流条上。该传感器可实现无源无线高精度实时的磁场强度测量,通过天线接收射频信号在IDT上激发水平剪切声表面波,由于磁流体对外磁场变化的零迟滞响应,瞬时改变声表面波延迟线的延迟时间,即磁流体的粘度变化改变声波波速,再将波速变化后的声表面波经IDT转换为电磁波由天线发射出去,根据延迟时间与磁场强度变化的对应关系,即可准确测量出磁场变化。

著录项

  • 公开/公告号CN101504446B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN200910079276.2

  • 发明设计人 刘桂雄;刘宏;张沛强;

    申请日2009-03-06

  • 分类号

  • 代理机构北京捷诚信通专利事务所(普通合伙);

  • 代理人魏殿绅

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路华南理工大学

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 33/02 授权公告日:20110420 终止日期:20140306 申请日:20090306

    专利权的终止

  • 2011-04-20

    授权

    授权

  • 2009-10-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-12

    公开

    公开

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