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用于等离子体处理腔的元件的石英表面的湿清洁方法

摘要

本发明公开了用于湿清洁元件的石英表面的方法,所述元件用于其中处理半导体基材的等离子体处理腔,如刻蚀腔和抗蚀剂剥离腔,该方法包括将石英表面与至少一种有机溶剂,碱性溶液和不同的酸溶液接触,这样从石英表面除去有机和金属污染物。石英表面优选与一种酸溶液接触至少两次。

著录项

  • 公开/公告号CN101194046B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰姆研究公司;

    申请/专利号CN200580024099.8

  • 申请日2005-06-03

  • 分类号C23G1/02(20060101);B08B3/04(20060101);B08B3/00(20060101);B08B3/14(20060101);

  • 代理机构31263 上海胜康律师事务所;

  • 代理人周文强;李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-13

    授权

    授权

  • 2008-07-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-06-04

    公开

    公开

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