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使用牺牲互连部分的芯片上的互连叠层冷却

摘要

本发明涉及一种集成电路器件和用于制造具有集成流体-冷却槽的集成电路器件的方法。该方法包括在电互连部分的期望侧向位置处和在流体冷却槽部件的期望侧向位置处,在介电层序列中形成凹陷。金属填充物被淀积在介电层序列的凹陷中,以在流体冷却槽部分中形成电互连部分和牺牲填充物。然后,该牺牲金属填充物从流体冷却槽部件选择性地被去除。

著录项

  • 公开/公告号CN101366115B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP股份有限公司;

    申请/专利号CN200680048773.0

  • 发明设计人 劳伦·高塞特;文森特·阿纳勒;

    申请日2006-12-19

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人朱进桂

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/473 授权公告日:20110413 终止日期:20131219 申请日:20061219

    专利权的终止

  • 2011-04-13

    授权

    授权

  • 2009-12-09

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20091106 申请日:20061219

    专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

  • 2009-04-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-02-11

    公开

    公开

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