用于提供垂直晶片-到-晶片互连的金属填充的通孔结构

摘要

本发明提供了一种用于提供垂直晶片-到-晶片互连结构的通孔互连的制造方法，以及通过所述方法形成的垂直互连结构。本发明的方法仅使用金属柱用于垂直互连，由此金属柱不产生α辐射。本发明的方法包括插入步骤、加热步骤、减薄步骤以及背面处理。