科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101497991B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院物理研究所;
申请/专利号CN200810056965.7
发明设计人 顾长志;李云龙;李俊杰;时成瑛;金爱子;罗强;杨海方;
申请日2008-01-28
分类号
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司;
代理人高存秀
地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号
入库时间 2022-08-23 09:06:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-05-04
授权
2009-09-30
实质审查的生效
2009-08-05
公开
机译: 反尖锥结构的γ相氧化铝的制备
机译: 一种生产均质氮氧化铝的方法,以及由根据现有方法通过该方法生产的氮氧化铝的生产方法
机译: 包含氧化铝作为栅极电介质的栅极结构的制造方法
机译:使用氮等离子体处理在石墨烯通道上直接沉积氧化铝栅极电介质
机译:多步阳极氧化制备倒锥多孔结构阳极氧化铝膜及其结构控制
机译:一种新型的W / TINX金属栅极栅极栅极CMOS技术,采用氮浓度控制的TINX膜
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:控制氧化铝微结构以减少钻石MOSFET中的栅极泄漏
机译:欧盟掺杂氮铝氧化铝,β-氧化铝型结构作为新的蓝色发光磷光体
机译:利用电子束荧光技术研究4度尖锥上高超音速湍流边界5层的结构