不合并情况下的沟槽加宽

摘要

本发明提供了一种半导体制造方法，包括提供半导体结构的步骤。该半导体结构包括半导体基板和所述半导体基板中的沟槽。该沟槽包括侧壁，该侧壁包括{100}侧壁面和{110}侧壁面。所述半导体结构还包括阻挡层，其位于所述{100}侧壁面和所述{110}侧壁面上。该方法还包括以下步骤：去除阻挡层在{110}侧壁面上的部分而不去除阻挡层在{100}侧壁面上的部分，从而使得{110}侧壁面曝露于周围环境。