包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法

摘要

本发明涉及包括至少一个场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括源区、漏区、沟道区、栅极电介质层、栅电极和一个或更多栅极侧壁间隔层。这种FET的栅电极包含受内部应力的栅极金属硅化物层，该栅极金属硅化物层在横向上由一个或更多栅极侧壁间隔层限制，并且被布置和构造用于在FET的沟道区内产生应力。优选地，所述半导体器件包括至少一个p沟道FET，并且更加优选地，所述p沟道FET包括具有受内部应力的栅极金属硅化物层的栅电极，该栅极金属硅化物层在横向上由一个或更多栅极侧壁间隔层限制，并且被布置和构造用于在FET的p沟道内产生压应力。