公开/公告号CN101325230B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司;
申请/专利号CN200710110845.6
申请日2007-06-12
分类号
代理机构
代理人
地址 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路2号
入库时间 2022-08-23 09:06:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20110406 终止日期:20150612 申请日:20070612
专利权的终止
2011-04-06
授权
授权
2010-12-29
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2009-02-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-12-17
公开
公开
机译: p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
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