碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。本发明对碳化硅单晶采用多级化学机械抛光、调控不同pH值、抛光压力及转速，使得在保持低翘曲，低弯曲，高平整度，厚度均匀性好的前提条件下，有效地降低了晶片的表面损伤，改善了晶片表面粗糙度水平。