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包括在柱子底下延伸的源区/漏区的场效应晶体管

摘要

场效应晶体管包括衬底和远离衬底延伸的柱子。该柱子包括邻近衬底的基体、远离衬底的顶部以及在基体和顶部之间延伸的侧壁。在该侧壁上设置绝缘栅。在柱子底下并邻近绝缘栅的衬底中设置第一源区/漏区。在柱子底下并远离绝缘栅的衬底中设置第二源区/漏区,与第一源区/漏区相比,第二源区/漏区被重掺杂。该柱子可以是基体和顶部之间的中间部分与相邻基体和顶部相比更窄的I-形柱子,以便该侧壁包括基体和顶部之间的凹陷中间部分。

著录项

  • 公开/公告号CN101093855B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710112138.0

  • 发明设计人 孙英雄;尹在万;金奉秀;徐亨源;

    申请日2007-06-19

  • 分类号

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人黄启行

  • 地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-06

    授权

    授权

  • 2009-08-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-12-26

    公开

    公开

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