法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-06
授权
授权
2009-08-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-12-26
公开
公开
机译: 包括薄膜晶体管和具有与晶体管的源区或漏区相同的分层结构并且与该晶体管的源区或漏区成一体的布线部分的半导体器件
机译: 形成场效应晶体管的方法,包括在半导体鳍片的凹槽中形成源区和漏区
机译: 平面场效应晶体管P型金属氧化物半导体场效应晶体管,例如芯片平面,栅区弯曲/断裂在有源区中进行,漏极和源极区的大小可变