公开/公告号CN101409255B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200810132533.X
发明设计人 玄灿顺;
申请日2008-07-15
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人刘继富
地址 韩国京畿道利川市
入库时间 2022-08-23 09:06:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-09-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20110119 终止日期:20130715 申请日:20080715
专利权的终止
2011-01-19
授权
授权
2009-06-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-15
公开
公开
机译: 形成微图案的方法,形成镶嵌金属化的方法以及使用该微图案形成的半导体器件和半导体存储器件
机译: 使用自对准双图案形成方法形成金属镶嵌图案的方法以及用于提取金属镶嵌图案的光掩模版图的方法
机译: 半导体器件的双镶嵌图案的形成方法