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形成半导体器件双镶嵌图案的方法

摘要

一种形成半导体器件双镶嵌图案的方法,包括在形成沟槽的中间工艺中除去当构成双镶嵌图案的沟槽形成时所产生的角状物。因此,可完全除去在形成双镶嵌图案之后所实施的清洗工艺中由于角状物而产生的颗粒源。因此,可防止由于颗粒导致的接触电阻的增加,并且也可改善半导体器件成品率的降低。

著录项

  • 公开/公告号CN101409255B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200810132533.X

  • 发明设计人 玄灿顺;

    申请日2008-07-15

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘继富

  • 地址 韩国京畿道利川市

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20110119 终止日期:20130715 申请日:20080715

    专利权的终止

  • 2011-01-19

    授权

    授权

  • 2009-06-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-15

    公开

    公开

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