具有多顶侧接触的垂直腔面发射激光器

摘要

本发明公开了一种具有未掺杂镜的VCSEL。在衬底上形成基本上未掺杂的底部DBR镜。在该底部DBR镜上形成周期性掺杂的第一传导层区。在光电场为约最小值处重度掺杂该第一传导层区。在第一传导层区上为包括量子阱的活性层。周期性掺杂的第二传导层区连接到该活性层。在光电场为最小值处重度掺杂该第二传导层区。在位于量子阱上方的外延结构中形成孔径。顶部镜连接到该周期性掺杂的第二传导层区。该顶部镜基本上未掺杂并且形成为台地结构。在该台地结构周围形成氧化物以在湿氧化工艺期间保护该顶部镜。