化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法

摘要

本发明公开了化合物半导体衬底抛光方法、化合物半导体衬底、化合物半导体外延衬底制造方法和化合物半导体外延衬底，藉此使存在于衬底前表上的氧减少。化合物半导体衬底抛光方法包括制备步骤(S10)、第一抛光步骤(S20)和第二抛光步骤(S30)。在制备步骤(S10)中，制备化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)中，用含氯抛光剂抛光该化合物半导体衬底。在第一抛光步骤(S20)之后的第二抛光步骤(S30)中，利用包含无机增效剂pH为大于等于8.5且小于等于13.0的碱性水溶液执行抛光操作。